苏州紫灿科技有限公司岳金顺获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州紫灿科技有限公司申请的专利一种提高出光效率的深紫外LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211148690.6，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种提高出光效率的深紫外LED是由岳金顺;陈景文;张骏;张毅设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高出光效率的深紫外LED在说明书摘要公布了：本专利公开了一种提高出光效率的深紫外LED，包括依次层叠设置的增透层、蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层；蓝宝石衬底远离N型半导体层一侧表面刻蚀成核区图案，沉积增透层，然后采用激光退火工艺，使增透层达到熔融状态，并基于成核区图案自组装形成若干半球状或半椭球状的凝聚体。本发明通过薄膜材料的自组装半球形，无需纳米压印、光刻、等离子体刻蚀等复杂图形化工艺流程，可以大幅提高深紫外LED的背面出光效率。
本发明授权一种提高出光效率的深紫外LED在权利要求书中公布了：1.一种提高出光效率的深紫外LED，其特征在于，包括依次层叠设置的增透层、蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层； 所述蓝宝石衬底远离N型半导体层一侧表面设有成核区图案，所述成核区图案由若干十字形凹槽阵列排布而成，所述增透层由若干半球状或半椭球状的凝聚体阵列排布而成，每一所述凝聚体均对应填充于一所述十字形凹槽中； 所述蓝宝石衬底远离N型半导体层一侧表面刻蚀成核区图案，沉积增透层，然后采用激光退火工艺，使增透层达到熔融状态，并基于成核区图案自组装形成若干凝聚体；所述增透层中若干凝聚体的投影面积之和与所述蓝宝石衬底的面积之比大于20%； 所述成核区图案中若干十字形凹槽以三角形周期阵列形式排布，相邻所述十字形凹槽之间的中心间距为200~500μm； 所述成核区图案中每一十字形凹槽均由第一凹槽部和第二凹槽部组成，且所述第一凹槽部和第二凹槽部垂直相交；所述第一凹槽部和第二凹槽部的长度为200~500μm。
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