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龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利基准电流电路、电荷补偿方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138863.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权基准电流电路、电荷补偿方法及芯片是由丁士鹏;王茂林;王永进设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基准电流电路、电荷补偿方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基准电流电路、电荷补偿方法及芯片，基准电流电路包括：基准电流产生单元、基准电流复制单元和追踪补偿单元。基准电流复制单元包括共栅连接的第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一MOS管和第二MOS管的漏极与基准电流产生单元相连，第三MOS管的漏极用于接入功能单元；检测电路与第三MOS管的漏极相连；钳位电路与检测电路相连；补偿电路与检测电路、钳位电路和第一MOS管的栅极相连。本发明的基准电流电路，通过对基准电流IBIAS切换时的注入或抽取电荷进行补偿，以较低的代价几乎无直流功耗保证切换的基准电流IBIAS能够以极快的速度建立、并大大减小对其他基准电流IBIAS瞬态的影响。

本发明授权基准电流电路、电荷补偿方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种基准电流电路，其特征在于，包括： 基准电流产生单元，用于产生基准电流； 基准电流复制单元，所述基准电流复制单元包括共栅连接的第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管构成用于复制基准电流的电流镜，所述第一MOS管和第二MOS管的漏极与基准电流产生单元相连，所述第三MOS管的漏极用于接入功能单元；以及 追踪补偿单元，所述追踪补偿单元包括： 检测电路，与第三MOS管的漏极相连，所述检测电路用于在第三MOS管的漏极与功能单元之间断开和导通时输出不同的补偿电压； 钳位电路，与检测电路相连，所述钳位电路用于在第三MOS管的漏极与功能单元之间断开时将对应的补偿电压钳位至预设值； 补偿电路，与检测电路、钳位电路和第一MOS管的栅极相连，所述补偿电路用于在钳位电路将补偿电压钳位至预设值时往第一MOS管的栅极端注入电荷、在第三MOS管的漏极与功能单元之间导通时抽取第一MOS管的栅极端的电荷。

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