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龙图腾网获悉财团法人交大思源基金会;安碁科技股份有限公司申请的专利晶体振荡器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115733456B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211008778.8，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权晶体振荡器及其制作方法是由洪瑞华;林逸伦设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体振荡器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶体振荡器及其制作方法，该晶体振荡器包含振荡基板、中空框架、第一电极及第二电极。所述振荡基板包括彼此反向的第一表面、第二表面及振荡部。所述中空框架设置于所述第二表面并框围出所述振荡部，且所述振荡部由主振荡区及厚度小于所述主振荡区的薄化区共同定义而成。所述第一电极包括位于第一表面的第一电极部、及自所述第一电极部延伸至第二表面的第一延伸电极部。所述第二电极位于第二表面，包括位于所述振荡部的第二电极部、及自所述第二电极部延伸至与所述第一延伸电极部位于同侧的第二延伸电极部。

本发明授权晶体振荡器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体振荡器的制作方法，其特征在于，包含： 第一电极部制作步骤，于压电基板的其中一表面形成第一电极部，而得到第一半成品； 贴合步骤，将所述第一半成品以所述第一电极部朝向暂时基板的方向贴合于所述暂时基板； 第一次薄化步骤，将所述第一半成品的压电基板进行全面薄化，而得到具有第一厚度的薄化压电基板； 第二电极制作步骤，于所述薄化压电基板反向所述暂时基板的表面形成第二电极，所述第二电极具有对应于所述第一电极部且具有至少一孔洞的第二电极部、及自所述第二电极部延伸至所述薄化压电基板的周缘的第二延伸电极部，且令所述第二电极部的正投影范围与所述第一电极部至少部分重合； 延伸电极制作步骤，形成自所述第一电极部延伸并沿着所述薄化压电基板的侧周面延伸至所述薄化压电基板形成有所述第二电极的表面的第一延伸电极部； 框架形成步骤，在所述薄化压电基板反向所述第一电极的表面上形成具有预定厚度、且框围所述第二电极部并压设于所述第二延伸电极部上的中空框架；及 第二次薄化步骤，以所述第二电极为屏蔽，利用蚀刻的方式将所述薄化压电基板对位于所述至少一孔洞的位置进行薄化，以形成第二半成品。

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