浙江大学秦世荣获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种浮栅型二维异质结忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210919398.3，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权一种浮栅型二维异质结忆阻器及其制备方法是由秦世荣;吴惠桢设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浮栅型二维异质结忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浮栅型二维异质结型忆阻器及其制备方法，忆阻器从下到上依次为Ag电极层、SiO2Si衬底层、MoS2载流子传输层，MoS2载流子传输层上表面的相对的两端设置有Au电极，h‑BN绝缘电介质层形成了对应于Au电极和MoS2载流子传输层共同形成的上表面的凹槽，凹槽内、AuNPs电荷捕获层、h‑BN绝缘电介质层和MoS2载流子传输层构成了具备阻抗存储特性的二维异质结MoS2h‑BNAuNPs。相比于传统基于块体材料的忆阻器，忆阻存储器是由零维和二维纳米材料所构建，在微型化和柔性方面具有独特的优势。考虑到该器件展现出优良的信息存储和擦除性能以及良好的稳定性和可重复使用性，MoS2h‑BNAuNPs浮栅型忆阻器具有良好的发展前景和实用价值。
本发明授权一种浮栅型二维异质结忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型二维异质结忆阻器，其特征在于，所述的忆阻器从下到上依次为Ag电极层5、SiO2Si衬底层4、MoS2载流子传输层3，所述的MoS2载流子传输层3上表面的相对的两端设有Au电极2，所述的Au电极2和MoS2载流子传输层3共同形成的上表面覆有h-BN绝缘电介质层1，所述的h-BN绝缘电介质层1形成了对应于Au电极2和MoS2载流子传输层3共同形成的上表面的凹槽，所述的凹槽内、位于h-BN绝缘电介质层1的上表面为AuNPs电荷捕获层，所述的AuNPs电荷捕获层、h-BN绝缘电介质层1和MoS2载流子传输层3构成了具备阻抗存储特性的二维异质结MoS2h-BNAuNPs。
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