湘潭大学姜杰获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172588B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210917511.4，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法是由姜杰;冯凯明;张彪设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及制备方法，其制备方法包括：提供缓冲层；在缓冲层表面形成氧化铪基铁电薄膜，得到稳定的氧化铪基铁电薄膜结构；其中，缓冲层的材质为二维材料，缓冲层与氧化铪基铁电薄膜之间通过范德华力作用连接。本发明的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法采用超薄的二维材料作为缓冲层，相比于传统硅基板与铁电薄膜化学键合，本发明是以范德华力作用连接，采用二维的缓冲层与氧化铪基铁电薄膜范德华力作用结合，以形成范德华异质界面，使得氧化铪基铁电薄膜与二维材料缓冲层之间裸露出来，增大薄膜的表面能，促进向铁电相的转变，并且以无应力状态保证氧化铪基铁电薄膜的自由生长和结晶。
本发明授权基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供缓冲层（100）； 在所述缓冲层（100）表面形成氧化铪基铁电薄膜（200），得到稳定的氧化铪基铁电薄膜结构； 其中，所述缓冲层（100）的材质为二维材料，所述缓冲层（100）与所述氧化铪基铁电薄膜（200）之间通过范德华力作用连接，以形成范德华异质界面，增大氧化铪基铁电薄膜的表面能，促进其内部铁电相的转变。
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