深圳市尚鼎芯科技有限公司刘道国获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市尚鼎芯科技有限公司申请的专利一种提高晶圆散热性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172301B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210898900.7，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权一种提高晶圆散热性能的方法是由刘道国设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高晶圆散热性能的方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种提高晶圆散热性能的方法，包括：对碳化硅衬底进行衬底清洗；在碳化硅衬底的背面依次进行等离子体刻蚀处理工序、纳米金刚石播种工序、金刚石形核工序、以及金刚石外延生长工序，得到金刚石基碳化硅晶圆：对金刚石基碳化硅晶圆进行高温退火处理。本技术方案中，将具有更好导热性、解理性和半导体性的Ⅱa型金刚石与碳化硅衬底相结合，形成金刚石基SiC晶圆，利用金刚石极佳的导热性来提高晶圆散热，并在键合晶圆上设置了导热线，通过导热线将键合部分的局部积热导出，从而延长了半导体器件的使用寿命。
本发明授权一种提高晶圆散热性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高晶圆散热性能的方法，其特征在于，包括： 对碳化硅衬底进行衬底清洗； 在所述碳化硅衬底的背面依次进行等离子体刻蚀处理工序、纳米金刚石播种工序、金刚石形核工序、以及金刚石外延生长工序，得到金刚石基碳化硅晶圆： 对所述金刚石基碳化硅晶圆进行高温退火处理； 以键合方式在所述金刚石基碳化硅晶圆上设置导热线； 所述导热线为多根； 所述导热线的内侧端与所述金刚石基碳化硅晶圆固定连接，所述导热线的外侧端向远离所述金刚石基碳化硅晶圆的方向伸出； 设置螺旋导热线；其中， 所述螺旋导热线以螺旋方式布置于所述金刚石基碳化硅晶圆的外侧的平面内； 所述螺旋导热线的最内侧一圈与每根所述导热线的外侧端固定连接； 所述对所述金刚石基碳化硅晶圆进行高温退火处理，具体包括： 当所述金刚石基碳化硅晶圆温度冷却到400℃时，通入氢气、或氮气、或第三混合气体，所述第三混合气体包括氢气和氮气； 加热所述金刚石基碳化硅晶圆； 当所述金刚石基碳化硅晶圆升温到预设退火温度时，停止加热并保温； 通入氩气5～10min。
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