南京理工大学曹思琪获国家专利权
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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种调控纳秒激光诱导半导体表面周期性结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115156719B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210885406.7，技术领域涉及：B23K26/352；该发明授权一种调控纳秒激光诱导半导体表面周期性结构的方法是由曹思琪;韩冰;刘燕峰;卢奕扬设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种调控纳秒激光诱导半导体表面周期性结构的方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种简单的调控多脉冲纳秒激光诱导半导体表面周期性结构的方法，包括：紫外纳秒激光直接垂直入射到单面抛光的半导体材料表面，在表面形成小周期的纳米结构，所述周期性结构的方向可以通过改变入射激光的偏振方向来调控，所述周期性结构的大小和深度可以通过改变入射激光的能量密度、脉冲个数和环境介质来调控。通过本发明在半导体表面制得的纳米结构满足工业大规模表面加工所需的低成本的要求，并且可以改变材料的光学特性、摩擦特性和润湿特性等。
本发明授权一种调控纳秒激光诱导半导体表面周期性结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种调控纳秒激光诱导半导体表面周期性结构的方法，其特征在于，具体步骤为： 对半导体材料进行预处理，具体为：利用丙酮溶液去除单面抛光的半导体材料表面的油脂，并利用超声波清洗机对半导体材料进行深层清洁； 将介质和半导体通过透镜安装座整合到一起，且半导体抛光面与介质接触，由纳秒激光器发出的紫外脉冲激光依次经过半波片1、偏振分光棱镜、半波片2、凸透镜、凹透镜、介质，垂直入射到半导体材料表面，所述紫外脉冲激光为入射激光；通过半波片1和半波片2之间的角度差控制入射激光的偏振方向；凸凹透镜的组合构成一个长焦系统，以此来矫正像差；所述介质为不与半导体材料发生化学反应的液体或气体；所述凸透镜的焦距为f1＝50mm，凹透镜的焦距为f2＝-25mm； 纳秒激光器发送设定脉冲个数的紫外脉冲激光，在半导体抛光面形成LIPSS。
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