西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所张国和获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210880092.1，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法是由张国和;宫晨蓉;刘佳;俞宙;陈琳设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法，包括衬底，衬底上设置有半导体沟道，半导体沟道上设置有源电极和漏电极，在源电极和漏电极上及半导体沟道位于源电极和漏电极之间的区域设置有电介质层，电介质层上设置有栅电极；源电极远离半导体沟道的一侧面及漏电极远离半导体沟道的一侧面全部被电介质层覆盖，所述源电极和漏电极通过半导体沟道相连接；所述半导体沟道的材料为半导体型碳纳米管。本发明可以通过不同方式模拟异突触可塑性。
本发明授权基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法在权利要求书中公布了：1.基于碳纳米管的三端记忆晶体管的使用方法，其特征在于，所述基于碳纳米管的三端记忆晶体管包括衬底（1），衬底（1）上设置有半导体沟道（2），半导体沟道（2）上设置有源电极（3）和漏电极（4），在源电极（3）和漏电极（4）上及半导体沟道（2）位于源电极（3）和漏电极（4）之间的区域设置有电介质层（5），电介质层（5）上设置有栅电极（6）；源电极（3）远离半导体沟道（2）的一侧面及漏电极（4）远离半导体沟道（2）的一侧面全部被电介质层（5）覆盖；所述半导体沟道（2）的材料为半导体型碳纳米管，所述电介质层（5）的材料为高k金属氧化物； 使用方法为： 漏电极（4）作为突触前神经元，源电极3视为突触后神经元，栅电极6视为异突触神经元，电介质层（5）的阻值状态作为突触权重，在漏电极（4）施加电脉冲，调整电介质层（5）阻值，模拟异突触可塑性； 或者，将栅电极（6）作为突触前神经元，源电极漏电极作为异突触神经元，半导体沟道的电导作为突触权重，在栅电极（6）施加电脉冲，能模拟突触权重的更新。
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