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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种容双节点翻转的高可靠锁存器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115276611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210871494.5，技术领域涉及：H03K3/356；该发明授权一种容双节点翻转的高可靠锁存器是由李炎;褚少航;程旭;韩军;曾晓洋设计研发完成，并于2022-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种容双节点翻转的高可靠锁存器在说明书摘要公布了：本发明属于半导体和集成电路技术领域，具体为一种容双节点翻转的高可靠锁存器；其具有低成本高可靠的特性，核心是一种交叉耦合的施密特触发器结构，在其上额外整合了四个高阈值晶体管，以减轻瞬态电压变化对相邻晶体管的影响，达到DNU容错的目的，可广泛应用于对可靠性要求较高的各个领域。本发明相较于现有技术的优点在于：通过交叉耦合的施密特触发器及四个高阈值晶体管，不但能够实现对双节点翻转的有效容忍，而且能够实现对单节点翻转的有效容忍，并且其功耗延迟积低。

本发明授权一种容双节点翻转的高可靠锁存器在权利要求书中公布了：1.一种容双节点翻转的高可靠锁存器，其特征在于，其包括交叉耦合的施密特触发器与四个高阈值晶体管的整合结构、三个传输门、一个时钟门控反相器和一个反相器；反相器的信号输入端连接容双节点翻转的高可靠锁存器的时钟输入端CLK，信号输出端输出反向的时钟信号CLKB，用于控制三个传输门的导通，时钟门控反相器，其输入端口连接交叉耦合的施密特触发器与四个高阈值晶体管的整合结构的输出端口E，输出端口与容双节点翻转的高可靠锁存器的输出端口Q连接；其中： 交叉耦合的施密特触发器与四个高阈值晶体管的整合结构由八个PMOS管和八个NOMS管组成，八个PMOS管分别为第一PMOS管Tp1、第二POMS管Tp2、第三POMS管Tp3、第四POMS管Tp4、第五POMS管Tp5、第六POMS管Tp6、第七POMS管Tp7、第八POMS管Tp8；八个NMOS管分别为第一NMOS管Tn1、第二NOMS管Tn2、第三NOMS管Tn3、第四NOMS管Tn4、第五NOMS管Tn5、第六NOMS管Tn6、第七NOMS管Tn7、第八NOMS管Tn8；Tp6、Tp8、Tn5和Tn7为高阈值晶体管，Tp1、Tp2、Tp3、Tp4、Tp5、Tp7、Tn1、Tn2、Tn3、Tn4、Tn6和Tn8形成交叉耦合的施密特触发器；其中： Tp1的栅极、Tn1的栅极、Tp3的漏极、Tp4的源极和Tp7的漏极连接在一起，连接点标记为节点D；Tp2的栅极、Tn2的栅极、Tn3的漏极、Tn4的源极和Tn8的漏极连接在一起，连接点标记为节点F；Tp3的栅极、Tn3的栅极、Tp1的漏极、Tp2的源极和Tp5的漏极连接在一起，连接点标记为节点A；Tp4的栅极、Tn4的栅极、Tn1的漏极、Tn2的源极和Tn6的漏极连接在一起，连接点标记为节点C； Tp2的漏极、Tp6的漏极、Tn1的源极、Tn5的源极连接在一起，连接点标记为节点B；Tp4的漏极、Tp8的漏极、Tn3的源极、Tn7的源极连接在一起，连接点为交叉耦合的施密特触发器与四个高阈值晶体管的整合结构的输出端口，标记为节点E； Tp5的栅极和Tp6的源极连接在一起；Tp7的栅极和Tp8的源极连接在一起；Tn5的漏极和Tn6的栅极连接在一起；Tn7的漏极和Tn8的栅极连接在一起；Tp1的源极、Tp3的源极、Tn6的源极、Tn8的源极连接电源；Tn2的漏极、Tn4的漏极、Tp5的漏极、Tp7的漏极接地；所有PMOS管的衬底均接电源，所有NOMS管的衬底均接地。

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