绍兴中芯集成电路制造股份有限公司鲁列微获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利光罩、半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115196588B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210860060.5,技术领域涉及:B81C1/00;该发明授权光罩、半导体结构及其制备方法是由鲁列微;徐泽洋设计研发完成,并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本光罩、半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种光罩、半导体结构及其制备方法。光罩包括:光罩主体;背孔图形,位于所述光罩主体内;多个支撑轴图形,位于所述背孔图形内;各所述支撑轴图形的一端均相连接,各所述支撑轴图形的另一端分别与所述背孔图形的边缘相连接;所述支撑轴图形包括主体部和端部,所述端部位于所述主体部两端,与所述主体部一体连接,所述端部的宽度小于所述主体部的宽度。本发明能够避免MEMS器件在形成空腔的过程中的牺牲层释放不完全。
本发明授权光罩、半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种光罩,其特征在于,所述光罩包括: 光罩主体; 背孔图形,位于所述光罩主体内; 多个支撑轴图形,位于所述背孔图形内;各所述支撑轴图形的一端均相连接,各所述支撑轴图形的另一端分别与所述背孔图形的边缘相连接;各所述支撑轴图形均呈纺锤形,所述支撑轴图形包括主体部和端部,所述端部位于所述主体部两端,与所述主体部一体连接,所述端部的宽度小于所述主体部的宽度。
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