厦门钨业股份有限公司赵衡煜获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门钨业股份有限公司申请的专利一种过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210805548.8，技术领域涉及：H01S3/16；该发明授权一种过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体及其制备方法是由赵衡煜;郑燕青设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体及其制备方法，所述激光晶体的化学式为TMxSc1‑x2O3；其中，TM为过渡金属元素，0.0001≤x≤0.03，即，所述激光晶体采用氧化钪晶体作为基质晶体，以过渡金属离子作为激活离子，尤其采用Ti3+、Cr3+或Fe3+作为激活离子。本发明克服了过渡金属离子在传统氧化物基质晶体中难以形成发光中心的技术问题，制备得到了一种新型近红外激光晶体，通过采用弱晶场耦合的氧化钪作为过渡金属离子掺杂的激光晶体的基质，过渡金属离子在氧化钪基质中的有效掺入量能够达到千分之一以上。
本发明授权一种过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 1按照化学式TMxSc1-x2O3的化学剂量比，称取Sc2O3粉末与TM2O3粉末并混合；其中TM为Cr，0.005≤x≤0.01； 2将步骤1得到的混合粉末依次进行压制处理与烧结处理，得到坯料； 3将步骤2得到的坯料进行熔化处理，通过下降法形成单晶并生长，得到过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体； 步骤3所述熔化处理的温度为2500-3000℃； 步骤3所述熔化处理的保护气为氢气与氧气的混合气体； 所述过渡金属离子掺杂氧化钪激光晶体的化学式为TMxSc1-x2O3；其中，TM为Cr，0.005≤x≤0.01。
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