清华大学田阳获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种多电极高纯锗探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975676B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210776522.5，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权一种多电极高纯锗探测器是由田阳;李玉兰;曾志;李元景设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多电极高纯锗探测器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种多电极高纯锗探测器，包括：平面型高纯锗晶体，其具有本征层裸露表面；锂扩散电极层，其通过在平面型高纯锗晶体的一端面及与该端面相连的部分侧面扩散锂离子形成，用于实现平面型高纯锗晶体与晶体机械固定件之间的稳定连接；非晶阻挡层，其位于平面型高纯锗晶体的另一端面上；保护环，位于非晶阻挡层上；多个独立电极，分别间隔设置且位于保护环内。本公开提供的多电极高纯锗探测器，通过使用非晶镀层和锂扩散层两种工艺，在保证低漏电流、高能量分辨的同时，也简化电极制作，提高了成品率，减小死区范围，降低了装配维护难度，提高了探测器的可靠性。
本发明授权一种多电极高纯锗探测器在权利要求书中公布了：1.一种多电极高纯锗探测器，其特征在于，包括： 平面型高纯锗晶体，其具有本征层裸露表面，所述本征层裸露表面为所述平面型高纯锗晶体侧面中除去锂扩散电极层侧面的部分，其用于隔离锂扩散电极层及非晶阻挡层； 锂扩散电极层，其通过在所述平面型高纯锗晶体的一端面及与该端面相连的部分侧面扩散锂离子形成，用于实现所述平面型高纯锗晶体与晶体机械固定件之间的稳定连接，并同时作为电极使用； 非晶阻挡层，其位于所述平面型高纯锗晶体的另一端面上； 保护环，位于所述非晶阻挡层上； 多个独立电极，分别间隔设置且位于所述保护环内。
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