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龙图腾网获悉上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学申请的专利半导体器件的沟道结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210682323.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件的沟道结构的制作方法是由陈鲲;杨静雯;徐敏;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的沟道结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的沟道结构的制作方法，包括：第一沟道区以及第二沟道区，所述第一沟道区与所述第二沟道区均形成于所述GAA器件的源区和漏区之间；所述第一沟道区形成于衬底的第一区域上；所述第二沟道区形成于所述衬底的第二区域上；所述第一沟道区包括：沿远离所述衬底方向上依次形成的第一沟道层以及若干第二沟道层，各第二沟道层之间以及所述若干第二沟道层与所述第一沟道层之间均不接触；所述第二沟道区包括：形成于所述衬底上的所述第一沟道层。解决了如何利用简洁的工艺制作半导体器件的沟道结构的问题，实现了工艺的简化以及减小器件缺陷的效果。

本发明授权半导体器件的沟道结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的沟道结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底的第一区域和第二区域上沿远离所述衬底方向上依次外延第一沟道层与堆叠层；所述堆叠层包括间隔堆叠的第二沟道层和牺牲层； 对所述牺牲层进行掺杂以形成掺杂区域； 刻蚀所述第一沟道层和所述堆叠层以在所述第一区域和所述第二区域分别形成沿第一方向排列的若干鳍结构； 形成若干假栅堆叠件；假栅堆叠件形成于每个鳍结构上，且沿第二方向排列，每个所述假栅堆叠件横跨每个所述鳍结构；所述假栅堆叠件包括假栅和内隔离层； 刻蚀所述鳍结构形成刻蚀空腔； 在沿所述第二方向上的所述牺牲层的两侧形成内侧墙； 在所述刻蚀空腔中形成源区和漏区； 形成层间介质层；所述层间介质层形成于所述源区和所述漏区顶端且横跨所述源区和所述漏区，所述源区和所述漏区沿所述第二方向排列； 去除所述假栅； 在所述堆叠层的顶端涂覆光刻胶，曝光并显影所述光刻胶形成图形化光刻胶，以使得所述图形化的光刻胶覆盖所述第一区域的所述堆叠层，而暴露出所述第二区域的所述堆叠层； 刻蚀所述第二区域的所述堆叠层，剩余的所述第二区域的所述第一沟道层构成所述第二区域的第二沟道区； 选择性刻蚀所述第一区域的所述牺牲层以释放所述沟道层，并保留所述第一沟道层完整；剩余的所述第二沟道层以及所述第一沟道层构成所述第一区域的第一沟道区。

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