中国人民解放军国防科技大学郭大伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种球面阻滞势分析仪的制造方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115193983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210645536.3,技术领域涉及:B21D22/02;该发明授权一种球面阻滞势分析仪的制造方法及装置是由郭大伟;程谋森;张颖;李小康;杨雄;车碧轩设计研发完成,并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种球面阻滞势分析仪的制造方法及装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种球面阻滞势分析仪的制造方法,首先采用冲压成型和热处理定型对金属板材进行加工以获得球面构型件,然后采用电化学刻蚀加工获得薄球面构型件,再采用超快激光刻蚀加工获得球面型栅极组件,最后采用机加工方法获取壳体和收集极,将球面型栅极组件和收集极装配于壳体上,以获得球面阻滞势分析仪;本方案采用通过电化学刻蚀获得薄球面构型件,以最大限度的保证栅孔加工球面的形状精度,再针对薄壁易变形的特点,采用超快激光刻蚀获得球面高形状精度和高栅孔同轴装配精度的球面型栅极组件,进而装配获得具有球面型栅极组件的球面阻滞势分析仪,并通过球面型栅极组件实现对离子液体电喷雾推力器中的带电粒子能量的准确测量。
本发明授权一种球面阻滞势分析仪的制造方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种球面阻滞势分析仪的制造方法,其特征在于,包括以下步骤: S1,采用冲压成型和热处理定型对金属板材进行加工,以获得球面构型件,球面构型件包括边缘框架和中心球面; S2,采用电化学刻蚀在中心球面上蚀刻出栅孔加工球面,以获得薄球面构型件; 步骤S2具体包括以下步骤:S201,对球面构型件进行清洗,喷涂光刻胶,并在温度小于80℃的环境中干燥30分钟以上,随后采用紫外光进行曝光处理,以浸入显影液中露出待加工区域轮廓;S202,将曝光显影后的球面构型件放入刻蚀液中进行电化学刻蚀,并根据金属板材与刻蚀液的反应速率来控制反应时间以实现对栅孔加工球面厚度的精确控制,进而获得厚度符合要求的栅孔加工球面;S203,栅孔加工球面刻蚀完成后进行薄球面构型件的清洗,去除光刻胶; S3,采用超快激光刻蚀在薄球面构型件的栅孔加工球面上蚀刻出栅孔阵列,以获得球面型栅极组件; S4,采用机加工方法获取壳体和收集极,将球面型栅极组件和收集极装配于壳体上,以获得球面阻滞势分析仪。
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