电子科技大学长三角研究院(湖州)廖永波获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种双栅氧化层PES-LDMOS的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210610220.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种双栅氧化层PES-LDMOS的制作方法是由廖永波;冯珂;刘仰猛;刘玉婷;徐璐;路远;黄乐天设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双栅氧化层PES-LDMOS的制作方法在说明书摘要公布了：本发明专利涉及集成电路技术领域，尤其指一种双栅氧化层PES‑LDMOS的制作方法，包括以下步骤：S1：在P型衬底上进行离子注入；S2：离子注入形成P+区、N+源区、N+漏区；S3：通过刻蚀工艺，将多余部分进行刻蚀；S4：进行SiO2生长；S5：在沟道区上方生长栅介质层；S6：在栅介质层的上方淀积金属形成栅电极。该方法减少了沟道上方栅介质层中的固定空穴电荷，减弱了其对电子的吸引能力，从而减小了阈值电压Vth偏移量；其次沟道的P+区域，也可以有效抑制STI中寄生沟道的形成，抑制了泄漏电流路径，减小了关断电流Ioff。
本发明授权一种双栅氧化层PES-LDMOS的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双栅氧化层PES-LDMOS的制作方法，其特征在于:所述的制作方法包括以下步骤： S1：在P型衬底2上进行离子注入，分别形成P阱1和N阱3； S2：在所述P阱1的上方进行离子注入，形成两个P+区4和一个N+源区5，所述两个P+区4位于N+源区5的两侧，在所述N阱3内进行离子注入，形成N+漏区6，右侧所述P+区4与所述P型衬底2上方称为沟道区7； S3：通过刻蚀工艺，将所述P阱1的左侧部分，以及所述N阱3左上方和右上方部分进行刻蚀； S4：在被刻蚀掉的部分进行SiO28的生长； S5：在所述沟道区7上方生长一层SiO2栅介质层10和高K栅介质层9，该两部分都用做栅介质层12；所述高K栅介质层9与所述SiO2栅介质层10均通过薄膜生长技术生长而成，所述高K栅介质层9位于左侧且比位于右侧的SiO2栅介质层10薄； S6：在所述栅介质层12的上方淀积金属形成栅电极11。
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