富芯微电子有限公司邹有彪获国家专利权
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龙图腾网获悉富芯微电子有限公司申请的专利一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210523489.5，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制造方法是由邹有彪;王全;倪侠;张荣;徐玉豹设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制造方法，涉及半导体功率器件技术领域。一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制造方法，包括基盒，基盒内壁固定连接有场氧化层，场氧化层内壁固定连接有回形栅极硅场板，回形栅极硅场板内壁固定连接有栅极硅场芯，栅极硅场芯顶部固定连接有盖罩，盖罩四周将基盒四周包围。本发明以封装形式以依次进行基盒、场氧化层、回形栅极硅场板、连接引脚和栅极硅场芯的封装，从而利用回形的结构将电流分流，使得分流的电流能够从栅极硅场芯的外壁四处进入到栅极硅场芯，从而让栅极硅场芯能够均匀的进行电流的进入，以此来减少器件的高负载点的产生，从而提高器件的使用寿命。
本发明授权一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件的制造方法，其特征在于：其生产步骤如下： 步骤一：基盒1制备，使用耐高温塑料进行矩形基盒1的生产； 步骤二：场氧化层2的贴附，使用原料制备回形的薄膜贴附在基盒1的四周内壁上形成场氧化层2； 步骤三：栅极硅场芯5制备，使用二氧化硅为原材料，依照磨具进行栅极硅场芯5的成型； 步骤四：回形栅极硅场板3制备，使用单晶硅片对其进行内部和内部的切割形成回形栅极硅场板3； 步骤五：结合和连接引脚4嵌入，融化栅极硅场芯5的四周，并将其嵌入在回形栅极硅场板3，并在回形栅极硅场板3两侧固定上多个连接引脚4； 步骤六；盖罩6密封；将盖罩6覆盖在融化栅极硅场芯5，完成低功耗屏蔽栅型半导体功率器件的制备。
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