上海积塔半导体有限公司迟延庆获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114859199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210426585.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法是由迟延庆设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法。一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构，半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台和用于对半导体器件进行高压测试的探针组件；辅助机构包括包围框以及连接部件。连接部件的一端设置于包围框的开口端，另一端与测试台和放置在测试台上的半导体器件中的其中之一密封连接，以界定出一密封空间。其中，探针组件的探针位于密封空间内，且密封空间内填充具有预设压力值的气体。在密封空间内利用探针组件对半导体器件进行高压测试的过程中，半导体器件的放电电压会小于半导体器件在高压测试所需的电压，半导体器件就不易出现放电打火现象。
本发明授权用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构，其特征在于，所述半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件100的测试台210和用于对所述半导体器件100进行高压测试的探针组件220； 所述辅助机构300包括： 包围框310，具有朝向所述测试台210的开口端311；以及 连接部件320，一端设置于所述包围框310的开口端311，另一端与所述测试台210和放置在所述测试台210上的所述半导体器件100中的其中之一密封连接，以界定出一密封空间330； 其中，所述探针组件220的探针222位于所述密封空间330内，且所述密封空间330内填充具有预设压力值的气体； 所述包围框310与所述测试台210上的所述半导体器件100沿第一方向相对设置；所述连接部件320包括连接于所述包围框310的开口端311两侧且沿所述第一方向延伸的第一缓冲部件，以使所述探针组件220可操作地朝向所述半导体器件100的测试点移动； 其中，所述第一方向垂直于所述半导体器件100的表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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