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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利温度补偿分布图的形成方法及系统、温度补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116934668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210375682.9，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权温度补偿分布图的形成方法及系统、温度补偿方法是由柯星;纪世良;张海洋设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本温度补偿分布图的形成方法及系统、温度补偿方法在说明书摘要公布了：一种温度补偿分布图的形成方法及系统、温度补偿方法，其中方法包括：获取晶圆平面，所述晶圆平面包括边缘轮廓、以及由所述边缘轮廓围成温度补偿区域；获取所述温度补偿区域的第一温度补偿分布图，所述第一温度补偿分布图中具有若干呈网格矩阵分布的第一补偿点位，每个所述第一补偿点位对应第一温度补偿值；在所述边缘轮廓上获取若干第二补偿位点；根据所述第一温度补偿分布图，获取每个所述第二补偿位点对应的第二温度补偿值，形成第二温度补偿分布图，由所述第一温度补偿分布图和所述第二温度补偿分布图，形成所述温度补偿分布图。通过所述第二温度补偿分布图能够对晶圆的边缘区域进行对应的温度补偿，进而有效提升经过刻蚀后器件尺寸的均一性。

本发明授权温度补偿分布图的形成方法及系统、温度补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种温度补偿分布图的形成方法，其特征在于，包括： 获取晶圆平面，所述晶圆平面包括边缘轮廓、以及由所述边缘轮廓围成温度补偿区域，所述补偿区域包括中心区以及包围所述中心区的边缘区； 对位于所述中心区器件结构的特征尺寸、以及和位于所述边缘区器件结构的特征尺寸进行测量，获取所述温度补偿区域的第一温度补偿分布图，所述第一温度补偿分布图中具有若干呈网格矩阵分布的第一补偿点位，每个所述第一补偿点位对应第一温度补偿值； 在所述边缘轮廓上获取若干第二补偿位点； 根据所述第一温度补偿分布图，获取每个所述第二补偿位点对应的第二温度补偿值，形成第二温度补偿分布图； 对所述第一温度补偿分布图进行增补处理，形成第三温度补偿分布图，所述第三温度补偿分布图中具有若干第三补偿位点，每个所述第三补偿点位对应第三温度补偿值； 由所述第二温度补偿分布图和所述第三温度补偿分布图，形成所述温度补偿分布图，以提升位于所述中心区器件结构的特征尺寸、以及和位于所述边缘区器件结构的特征尺寸的均一性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。