武汉华星光电半导体显示技术有限公司田汝强获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114530459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210120928.8,技术领域涉及:H10D86/40;该发明授权显示面板及其封装方法是由田汝强设计研发完成,并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其封装方法在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种显示面板及其封装方法,其中,显示面板包括:衬底层、源漏层以及封装层。源漏层设置于所述衬底层的顶面,所述源漏层包括同层设置的电极层以及多个结构层,多个所述结构层设置于所述电极层的一侧,与所述电极层之间具有间隔,并沿第一方向间隔设置,所述第一方向为远离所述电极层的方向;封装层与所述电极层的顶面和侧面、各所述结构层的顶面和侧面以及所述衬底层的顶面贴合连接。本申请通过在源漏层增设用于增加封装接触面积的结构层,增加了单位宽度内源漏层与封装层的接触面积,保证了在更窄的宽度内封装结构的可靠性,解决了现有技术中窄边框的显示面板封装失效风险大的技术问题。
本发明授权显示面板及其封装方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括: 衬底层; 源漏层,设置于所述衬底层的顶面,所述源漏层包括同层设置的电极层以及多个结构层,多个所述结构层设置于所述电极层的一侧,与所述电极层之间具有间隔,并沿第一方向间隔设置,所述第一方向为远离所述电极层的方向; 封装层,与所述电极层的顶面和侧面、各所述结构层的顶面和侧面以及所述衬底层的顶面贴合连接; 其中,所述结构层包括: 第一金属层,设置于所述衬底层的顶面; 第二金属层,设置于所述第一金属层的顶面; 第三金属层,设置于所述第二金属层的顶面; 其中,所述第二金属层的列宽小于所述第一金属层的列宽,所述第三金属层的列宽大于所述第二金属层的列宽,以使所述结构层的侧面形成至少一条沟槽。
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