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龙图腾网获悉深圳市斑岩光子技术有限公司申请的专利具有周期性泵浦结构的表面刻蚀光栅半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116417906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111671737.2，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权具有周期性泵浦结构的表面刻蚀光栅半导体激光器是由吴芳;唐涌波;克里斯托·弗华生;克里欧·匹米诺夫;优瑞·罗格温设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有周期性泵浦结构的表面刻蚀光栅半导体激光器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种具有周期性泵浦结构的表面刻蚀光栅半导体激光器，所述结构包括依次层叠的底层掺杂介质层、多量子阱有源层、脊形掺杂介质层，以及形成于所述脊形掺杂介质层上的周期性光栅沟槽结构和与光栅沟槽之间的电接触区域形成欧姆电接触的顶面电接触层。载流子经周期性电接触层注入，流经电接触区域，到达光栅沟槽底部后横向扩散，并继续扩散至多量子阱有源层。在均匀分布时可实现基于折射率调制的激光器；在非均匀分布时，引入附加增益调制从而实现混合调制的激光器。本申请在有效提高半导体激光器的性能稳定性的前提下，降低其制造成本，并提高其良率及可靠性。

本发明授权具有周期性泵浦结构的表面刻蚀光栅半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种脊形激光器结构，其特征在于，包括依次层叠的底层掺杂介质层、多量子阱有源层、脊形掺杂介质层，以及形成于所述脊形掺杂介质层内的光栅结构和位于所述光栅结构顶面的顶面电极层； 所述光栅结构包括多个沿所述激光器的波导方向周期性间隔分布的光栅沟槽及所述光栅沟槽之间的周期性的电接触区域，并且所述光栅沟槽内有至少覆盖所述光栅沟槽的侧壁的绝缘层；所述脊形掺杂介质层在所述多量子阱有源层顶面的正投影位于所述多量子阱有源层顶面的内部；所述光栅沟槽未贯穿所述脊形掺杂介质层的侧壁，相邻所述光栅沟槽之间的脊形掺杂介质层用于构成所述电接触区域； 顶面齐平的所述顶面电极层与所述周期性电接触区域的顶面形成欧姆电接触； 其中，经由所述顶面电极层注入的载流子向下依次流经所述电接触区域和脊型掺杂介质层后进入所述多量子阱有源层，所述多量子阱有源层的注入载流子因绝缘的光栅沟槽的存在而呈现出特定载流子密度分布区域；所述光栅结构引入的折射率调制、所述顶面电极层引入的增益调制，相位一致。

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