杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司汪建平获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请的专利一种惯性传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114506812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111616431.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种惯性传感器及其制备方法是由汪建平;季锋设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种惯性传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：公开了一种惯性传感器及其制备方法，方法包括：在第一衬底上形成第一介质层以及第一导电层；在第一导电层中形成第一开口以暴露出部分第一介质层的表面；在第一导电层上形成保护层，保护层覆盖部分第一导电层、第一开口的侧壁及第一开口暴露的第一介质层的表面；在部分第一导电层和部分保护层上形成具有第二开口的第二介质层；在第二介质层上形成第二导电层，第二导电层填充第二开口；在第二导电层上形成第一键合结构；图形化第二导电层，形成第三开口；经由第三开口去除部分第二介质层，形成空腔及可动质量块；去除空腔中的第一导电层和第一介质层表面暴露的保护层。本发明实施例的惯性传感器及其制备方法通过保护层保证了惯性传感器的可靠性。
本发明授权一种惯性传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种惯性传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一衬底上形成第一介质层以及第一导电层； 在所述第一导电层中形成第一开口以暴露出部分所述第一介质层的表面； 在所述第一导电层上形成保护层，所述保护层覆盖部分所述第一导电层、所述第一开口的侧壁及所述第一开口暴露的所述第一介质层的表面； 在部分所述第一导电层和部分所述保护层上形成具有第二开口的第二介质层； 在所述第二介质层上形成第二导电层，所述第二导电层填充所述第二开口； 在所述第二导电层上形成第一键合结构； 图形化所述第二导电层，形成第三开口； 经由所述第三开口去除部分所述第二介质层，形成空腔及可动质量块； 去除所述空腔中的所述第一导电层和所述第一介质层表面暴露的所述保护层。
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