深圳鼎晶科技有限公司喻泷获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳鼎晶科技有限公司申请的专利一种吸附装置及晶圆巨量转移设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111592188.X，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种吸附装置及晶圆巨量转移设备是由喻泷设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种吸附装置及晶圆巨量转移设备在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种吸附装置及晶圆巨量转移设备，涉及Micro‑LED晶圆巨量转移技术领域，该吸附装置及晶圆巨量转移设备包括负压装置、接头以及吸附板；所述吸附板包括吸附区域以及转移区域，所述吸附区域围绕分布于所述转移区域的四周；所述吸附区域包括多个吸附孔以及气路，多个所述吸附孔设于所述气路中；所述接头分别与所述气路以及所述负压装置连接。取得具备吸附力的同时，避免干扰激光振晶体，能更好地完成Micro‑LED晶圆巨量转移效果。
本发明授权一种吸附装置及晶圆巨量转移设备在权利要求书中公布了：1.一种吸附装置，其特征在于，包括负压装置、接头以及吸附板；所述吸附板包括吸附区域以及转移区域，所述吸附区域围绕分布于所述转移区域的四周；所述吸附区域包括多个吸附孔以及气路，多个所述吸附孔设于所述气路中；所述接头分别与所述气路以及所述负压装置连接； 所述吸附板包括定位孔，所述定位孔设于所述转移区域的一侧，所述气路包括主干气路、第一分支气路、连接气路以及第二分支气路，所述主干气路一端与所述接头连接，所述主干气路另一端与所述第一分支气路连接，所述连接气路分别与所述第一分支气路以及所述第二分支气路连接，所述第一分支气路以及所述第二分支气路分别位于所述定位孔的两侧； 所述吸附板还包括设备安装区域，所述设备安装区域设于所述吸附区域外；所述设备安装区域用于安装激光测距设备；所述设备安装区域包括多个固定孔以及多个设备孔，多个所述固定孔以及多个所述设备孔均穿过所述吸附板。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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