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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司;华中科技大学申请的专利一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111527377.9，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法是由张文婷;张曹瑞;范继;杨霏;安运来;吴军民设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子器件封装技术领域，具体公开了一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法，包括：获取第一晶圆的第一初始翘曲度和第二晶圆的第二初始翘曲度，分别对第一晶圆和第二晶圆施加应力，使得第一晶圆发生形变调整以补偿第一初始翘曲度，第二晶圆发生形变调整以补偿第二初始翘曲度；对发生形变调整后的第一晶圆和第二晶圆进行表面活化，在室温及1000mbar～6000mbar压强下进行键合，得到键合结构；施加应力的方法为沉积二氧化硅薄膜，通过调整二氧化硅薄膜的致密性及厚度，能控制应力方向和大小。本发明通过沉积二氧化硅薄膜的方式对待键合的晶圆进行形变补偿，并进行表面活化处理，可实现在室温常压下的晶圆直接键合。

本发明授权一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用薄膜沉积补偿形变进行晶圆直接键合的方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取第一晶圆的第一初始翘曲度，对所述第一晶圆施加应力，使得所述第一晶圆发生形变调整以补偿所述第一初始翘曲度； 获取第二晶圆的第二初始翘曲度，对所述第二晶圆施加应力，使得所述第二晶圆发生形变调整以补偿所述第二初始翘曲度； 对发生形变调整后的第一晶圆和发生形变调整后的第二晶圆进行表面活化，在室温及1000mbar~6000mbar压强下进行键合，得到键合结构，所述表面活化的方法为氧离子和氩粒子流活化； 其中，所述施加应力的方法为沉积二氧化硅薄膜，通过调整二氧化硅薄膜的致密性及厚度，能够控制施加的应力的方向和大小； 根据薄膜厚度-形变模型，通过调整二氧化硅薄膜的厚度，以控制施加的应力的大小，从而调控发生形变调整后的待键合晶圆的翘曲度，其中所述待键合晶圆为所述第一晶圆或所述第二晶圆，所述薄膜厚度-形变模型如公式I所示： I 其中，A1为所述待键合晶圆的初始翘曲度，B1为所述待键合晶圆的厚度，E1为所述待键合晶圆的杨氏模量，α1为所述待键合晶圆的热膨胀系数，A2为沉积后结构的翘曲度，B2为所述二氧化硅薄膜的厚度，E2为所述二氧化硅薄膜的杨氏模量，α2为所述二氧化硅薄膜的热膨胀系数，∆T为沉积温度和室温的差值，c为均匀应变分量，C2为中性面位置，所述中性面位置的计算公式如公式II所示： II。

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