福建省晋华集成电路有限公司孔果果获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利三维存储器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111507546.2，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权三维存储器件及其制作方法是由孔果果;何世伟;周运帆;朱冬祥;吴冈;戴灿发;赖建雄设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了三维存储器件及其制作方法，包括衬底，其包括第一区以及第二区；衬垫层，其设置在所述衬底和存储堆叠结构之间；包括交替层叠的多个导电层和电介质层的存储堆叠结构，其设置在所述衬底上并且自所述第一区延伸至所述第二区，其中所述第二区上的所述存储堆叠结构包括阶梯结构，其中所述阶梯结构的台阶分别包括一所述导电层以及一所述电介质层，且所述导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入，显露出所述电介质层的部分底面。导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入可减少导电层与后续制作的字线接触插塞发生短路的问题。
本发明授权三维存储器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器件，其特征在于，包括： 衬底，包括第一区以及第二区； 衬垫层，设置在所述衬底和存储堆叠结构之间；以及 包括交替层叠的多个导电层和电介质层的所述存储堆叠结构，设置在所述衬底上并且自所述第一区延伸至所述第二区，其中所述第二区上的所述存储堆叠结构包括阶梯结构，其中所述阶梯结构的台阶分别包括一所述导电层以及一所述电介质层，且所述导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入而形成一凹陷，显露出所述电介质层的部分底面，所述电介质层沿着平行于所述衬底表面的方向凸出于所述导电层的侧壁的部分构成台阶的踏鼻部； 多个字线接触插塞，穿过电介质层，与导电层直接接触，其中一个所述字线接触插塞与阶梯结构的其中一个台阶的导电层的顶面接触的同时，与上层台阶的踏鼻部的顶面接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号