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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利优化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114421909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111483158.5，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权优化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和应用是由董树荣;庞正基;轩伟鹏;金浩;骆季奎;刘刚;刘舒婷;钟高峰;邹锦林设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本优化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种优化FBAR空腔平坦化工艺缺陷的方法，包括：基底表面具有空腔，在所述空腔内沉积牺牲层；平坦化牺牲层以使得所述牺牲层表面碟形坑为正值得到平坦化器件；将平坦化器件加热至1000℃‑1200℃退火30min‑60min得到热处理器件；在热处理器件表面溅射一层TaN，利用化学机械抛光法抛光TaN层至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉积压电振荡堆和金属pad层，去除牺牲层得到空腔型FBAR。该方法能够使得FBAR谐振器具有较为电极稳定的结构，较高Q值。本发明还公开了采用该方法制备的FBAR谐振器，以及该FBAR谐振器在制备圆晶片上的应用。

本发明授权优化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和应用在权利要求书中公布了：1.一种优化FBAR空腔平坦化工艺缺陷的方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内具有空腔，在所述空腔内沉积牺牲层； 利用化学机械抛光法，平坦化牺牲层使得所述牺牲层表面碟形坑值为正值以得到第一平坦化器件； 将第一平坦化器件进行热处理得到热处理器件，所述热处理工艺为：加热至1000℃-1200℃退火30min-60min； 在热处理器件表面溅射一层惰性合金层，利用化学机械抛光法抛光惰性合金层至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉积压电振荡堆和金属pad层，然后去除牺牲层得到空腔型FBAR； 所述的平坦化牺牲层以使得所述牺牲层表面碟形坑为正值得到第一平坦化器件的化学机械抛光法工艺参数为：悬浮液pH为8.0-10.3，抛光压力为4psi-6psi，牺牲层抛光速率为6000Amin-9000Amin； 所述的压电振荡堆包括第一电极、单晶压电薄膜和第二电极，所述第一电极形成于基底和牺牲层表面，第二电极形成于单晶压电薄膜表面，金属pad层分别位于第一电极和第二电极上； 所述的抛光惰性合金层至基底表面得到第二平坦化器件的化学机械抛光法工艺参数为：研磨液pH为10-12，抛光压力：4psi-6psi，惰性合金层去除速率为400Amin-600Amin，所述惰性合金层为TaC、TiN或CrN层。

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