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龙图腾网获悉郑州合晶硅材料有限公司申请的专利一种硅片载盘及改善重掺双抛光片损伤层的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111461567.5，技术领域涉及：H01L21/673；该发明授权一种硅片载盘及改善重掺双抛光片损伤层的制备工艺是由吴泓明;钟佑生;洪育维;李少华设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅片载盘及改善重掺双抛光片损伤层的制备工艺在说明书摘要公布了：本申请属于集成电路中的硅片（晶圆）制造技术领域，具体涉及一种硅片载盘及利用该载盘改善重掺双抛光片损伤层的制备工艺。该硅片载盘相较于现有载盘结构，在现有圆形卡槽的中心增加了圆形凹槽的设计，具体载盘结构包括：作为整个结构承重的矩形承载底座，和设于矩形承载底座中部的用于放置硅片的圆形卡槽；在圆形卡槽的内部的承载底座上开设有圆形凹槽；同时，在圆形卡槽的内部的承载底座上设有贯通承载底座的定位槽（也叫定位pin槽）及导热槽。本申请通过调整硅片载盘的结构设计、硅片的受热改为对流及辐射方式，并结合此设备改进对改善重掺双抛光片正面（抛光面）损伤层的制备工艺进行了相关改进，有效降低了硅片表面颗粒。

本发明授权一种硅片载盘及改善重掺双抛光片损伤层的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种重掺双抛光硅片正面损伤层制备用硅片载盘，其特征在于，在圆形卡槽的中心设计有圆形凹槽，具体载盘结构包括：作为整个结构承重的矩形承载底座，和设于矩形承载底座中部的用于放置硅片的圆形卡槽； 在圆形卡槽的内部的承载底座上开设有圆形凹槽；同时，在圆形卡槽的内部的承载底座上设有贯通承载底座的定位槽及导热槽； 所述定位槽，为定位“针”通过此槽口来对硅片进行上升及下降的动作的通孔； 所述导热槽，为用来加强对硅片正面的热辐射的通孔； 所述定位槽，定位槽沿圆形卡槽的内部的承载底座上均匀布设，定位槽设计为3个，3个定位槽位于同一圆周线上，且相邻两个定位槽之间夹角为120°； 所述导热槽，导热槽沿圆形卡槽的内部的承载底座上均匀布设，导热槽设计为9个，其中一个设于沿圆形卡槽的圆心处，其余8个沿此圆心围绕形成一个正方形； 具体规格设计时，圆形卡槽深度A1设计为5.5mm~7.5mm，圆形卡槽内直径Φ1设计为300~305mm； 中心圆形凹槽深度B1设计为3.0mm~6.0mm，圆形凹槽内直径Φ2设计为200mm~280mm；导热槽口直径Φ3设计为0.5mm~1.5mm，定位槽口直径Φ4设计为2.0mm~3.0mm；矩形承载底座为长方形，规格为：长：310~320mm，宽：470~500mm。

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