京东方科技集团股份有限公司卢昱行获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111429653.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置是由卢昱行;刘凤娟;童彬彬设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置在说明书摘要公布了：本公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置，其中，薄膜晶体管包括：基板；第一有源层，位于基板的一侧，且具有第一中间区域和第一边缘部分，第一中间部分位于第一边缘部分之间；第二有源层，至少位于第一中间部分的表面；第一保护层，至少覆盖第一有源层的第一边缘部分；源漏极，位于第二有源层远离基板的一侧，并与第二有源层连接；栅极层，位于第二有源层远离基板的一侧，或者位于基板靠近第一有源层的表面；其中，第一有源层和第二有源层的材料不同。该薄膜晶体管可以在第一有源层和第二有源层选择任意刻蚀选择比的材料制作时，均能够具有较好的均一性，且不会出现驼峰现象，以使得该薄膜晶体管具有良好的稳定性。
本发明授权薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 基板； 第一有源层，位于所述基板的一侧，且所述第一有源层具有第一中间部分和第一边缘部分，所述第一中间部分位于所述第一边缘部分之间； 第二有源层，至少位于所述第一中间部分的表面； 第一保护层，至少覆盖所述第一有源层的第一边缘部分； 源漏极，位于所述第二有源层远离所述基板的一侧，并与所述第二有源层连接； 栅极层，位于所述第二有源层远离所述基板的一侧，或者位于所述基板靠近所述第一有源层的表面； 其中，所述第一有源层和所述第二有源层的材料不同，所述第二有源层具有第二中间部分和第二边缘部分，其中，第二中间部分位于所述第一中间部分的表面，第二边缘部分位于所述第一保护层远离所述第一边缘部分的表面和部分所述第二中间部分的表面。
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