三菱电机株式会社吉田拓弥获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111385011.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由吉田拓弥;铃木健司;原口友树设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供改善能量损耗的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、二极管沟槽栅极及电极层。第1半导体层是作为半导体基板的上表面侧的表层而设置的。第2半导体层设置于第1半导体层的下方。二极管沟槽栅极的二极管沟槽绝缘膜是沿沟槽的内壁中的位于上部侧壁的下方的下部侧壁和底部形成的，该上部侧壁位于沟槽的上端侧。二极管沟槽栅极的二极管沟槽电极设置于沟槽内部。电极层将沟槽的上部侧壁覆盖。第1半导体层在沟槽的上部侧壁处与电极层接触。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 半导体基板； 第1导电型的第1半导体层，其是作为所述半导体基板的上表面侧的表层而设置的； 第2导电型的第2半导体层，其设置于所述第1半导体层的下方； 二极管沟槽栅极，其包含二极管沟槽绝缘膜和二极管沟槽电极，该二极管沟槽绝缘膜形成于从所述半导体基板的上表面将所述第1半导体层贯穿而到达所述第2半导体层的沟槽的内壁，该二极管沟槽电极设置于所述沟槽的内部；以及 电极层，其将所述半导体基板的所述表层覆盖， 所述二极管沟槽绝缘膜是沿所述沟槽的所述内壁中的位于上部侧壁的下方的下部侧壁和底部形成的，该上部侧壁位于所述沟槽的上端侧， 所述电极层进一步将所述沟槽的所述上部侧壁覆盖， 所述第1半导体层在所述沟槽的所述上部侧壁处与所述电极层接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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