福建省晋华集成电路有限公司郭鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111392126.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置及其制作方法是由郭鹏;王远保设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本揭露公开了一种半导体存储装置及其形成方法，半导体存储装置包括衬底、多个位线、条状隔离结构、导电残余物、多个柱状隔离结构、以及多个导电插塞。多个位线位于衬底上，并且沿着第一方向延伸。多个字线，位于衬底内，沿着第二方向延伸。条状隔离结构位于多个位线的末端，沿着第二方向延伸，并且包含缝隙，其中导电残余物位于缝隙中。多个柱状隔离结构彼此分离的位于在多个位线间。多个导电插塞彼此分离的位于多个位线间，其中导电插塞和导电残余物包含相同的导电材料。
本发明授权半导体存储装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含： 衬底； 多个位线，位于所述衬底上，并且沿着第一方向延伸； 多个字线，位于所述衬底内；所述字线沿着第二方向延伸； 条状隔离结构，位于所述多个位线的末端，并且沿着所述第二方向延伸，其中所述条状隔离结构的上部包含缝隙； 导电残余物，位于所述缝隙中； 多个柱状隔离结构，彼此分离的位于所述多个位线间； 多个导电插塞，彼此分离的位于所述多个位线间，其中所述导电残余物、各所述导电插塞包含相同的导电材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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