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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990808B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111258550.X，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法是由岳永豪;郑晓琼;梅志鹏;李宝霞设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法，能够实现切割胶带与晶圆切割道结构牢固贴附，改善晶圆切割质量，提高Die成品率。一种双面布线晶圆切割道结构，包括多片Die，Die下表面的RDL布线层与切割道区域之间的厚度差形成U型切割道；所述U型切割道的中间设置一道横梁。一种双面布线晶圆切割道结构制备方法，包括以下步骤：对晶圆上表面进行临时键合，并对形成的临时键合晶圆下表面减薄加工；在减薄的临时键合晶圆下表面依次进行介质层制备、TSV铜柱露铜和RDL布线层制备；在RDL布线层表面制备绝缘层，并在U型切割道的中间制备所述横梁，完成包含所述横梁的晶圆切割道结构的制备。

本发明授权一种双面布线晶圆切割道结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双面布线晶圆切割道结构，其特征在于，包括 多片Die（4），Die（4）的上下表面均覆盖有RDL布线层（6），Die（4）与Die（4）之间为切割道区域，其中，晶圆上下表面的切割道区域完全对准重合，Die（4）下表面的RDL布线层（6）与切割道区域之间的厚度差形成U型切割道（11）； 所述U型切割道（11）的中间设置一道横梁（1）； 所述横梁（1）的宽度为所述U型切割道（11）宽度的23，高度为所述U型切割道（11）深度的34； Die（4）下表面的RDL布线层（6）采用单层RDL布线层或多层RDL布线层； 制备所述横梁（1）包括， 通过涂胶工艺在制备有RDL布线层（6）的晶圆下表面上制备绝缘层； 通过设定的光刻板对U型切割道（11）中间位置外漏的绝缘层进行曝光； 通过显影工艺显掉曝光过的绝缘层，留下掩盖区域的绝缘层，形成所述横梁（1）； 完成所述横梁（1）的制备后，还包括， 在临时键合晶圆下表面的RDL布线层（6）上制备UBM（8）； 在临时键合晶圆下表面贴附切割胶带（9）； 键合晶圆拆解分离； 对晶圆划片，完成Die之间的切割分离。

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