意法半导体股份有限公司N·博尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114368724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111198768.0，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺是由N·博尼;L·文奇盖拉;R·卡尔米纳蒂;M·默利设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺。MEMS器件由半导体材料主体形成，所述半导体材料主体限定支撑结构。所述半导体材料主体中的贯通式腔体由所述支撑结构包围。可移动结构被悬置在所述贯通式腔体中。弹性结构在所述支撑结构与所述可移动结构之间的所述贯通式腔体中延伸。所述弹性结构具有第一部分和第二部分并且在使用中经受机械应力。所述MEMS器件还由金属区域形成，所述金属区域在所述弹性结构的所述第一部分上延伸，并且由所述弹性结构中的掩埋腔体形成。所述掩埋腔体在所述弹性结构的所述第一部分与所述第二部分之间延伸。
本发明授权具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件，包括： 半导体材料主体，限定支撑结构； 其中贯通式腔体被限定在所述半导体材料主体中，并且由所述支撑结构包围； 可移动结构，被悬置在所述贯通式腔体中； 弹性结构，在所述支撑结构与所述可移动结构之间在所述贯通式腔体中延伸，所述弹性结构包括第一部分和第二部分，并且经受机械应力；以及 金属区域，在所述弹性结构的所述第一部分上延伸； 其中所述弹性结构具有被限定在其中的掩埋腔体；以及 其中所述掩埋腔体在所述弹性结构的所述第一部分与所述第二部分之间延伸； 其中所述弹性结构的所述第一部分和所述第二部分彼此重叠。
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