广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司张骥获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司申请的专利一种背栅调制器件及其制备方法、存储器、逻辑器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111176475.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种背栅调制器件及其制备方法、存储器、逻辑器件是由张骥;叶甜春;罗军;赵杰设计研发完成，并于2021-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背栅调制器件及其制备方法、存储器、逻辑器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种背栅调制器件及其制备方法、存储器、逻辑器件，其中背栅调制器件可包括但不限于硅衬底、ONO层、单晶硅层、栅极、第一侧墙、第二侧墙、第一源漏极及第二源漏极。ONO层填充于硅衬底上形成的空腔内，单晶硅层形成于ONO层上，栅极形成于单晶硅层上，第一侧墙环绕在栅极的侧壁周围，设置于单晶硅层上，第二侧墙环绕在第一侧墙的侧壁周围，设置于单晶硅层上；第一源漏极设置于硅衬底上，处于单晶硅层的一旁侧；第二源漏极设置于硅衬底上，处于单晶硅层的另一旁侧。本发明能够根据实际需要通过牺牲层和衬底的厚度灵活地控制单晶硅层和ONO结构的厚度，从而最大程度地发挥出背栅调制器件的性能，并能够有效降低器件成本。
本发明授权一种背栅调制器件及其制备方法、存储器、逻辑器件在权利要求书中公布了：1.一种背栅调制器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底； 在所述硅衬底中形成浅槽隔离结构； 在由所述浅槽隔离结构包围的硅衬底的表面外延生长出一层牺牲层，以及在所述牺牲层上形成单晶硅层； 在所述单晶硅层上形成栅极，以及在所述栅极的侧壁上形成第一侧墙和在所述第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙； 通过依次垂直刻蚀所述单晶硅层和所述牺牲层的方式露出所述牺牲层； 通过刻蚀掉所述牺牲层形成空腔，并露出所述硅衬底和所述单晶硅层； 在所述硅衬底与所述单晶硅层之间的所述空腔中形成ONO层； 在所述浅槽隔离结构围成的硅衬底区域内形成第一源漏极和第二源漏极。
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