买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799165B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111057260.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由张文文;黄仁瑞;方勇智设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该方法包括：形成自下而上依次层叠的刻蚀终止层、第一介质层、辅助介质层及第二介质层；以光刻胶层为刻蚀阻挡层，图形化第二介质层得到第一开口图形，第一开口图形的底部具有显露部分辅助介质层的第二开口图形；基于第一开口图形形成贯穿第二介质层和辅助介质层并延伸至第一介质层的第一沟槽，基于第二开口图形形成从第一沟槽底部贯穿第一介质层并延伸至刻蚀终止层的第二沟槽；在第一、第二沟槽中形成导电层。本发明仅通过一次涂胶显影即可实现类大马士革镶嵌结构的制备，简化了工艺流程，降低了生产成本，不需高昂的光刻设备支持，设备成本更低。且本发明具有广泛的适用性，可以兼容多种半导体工艺。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一基底，在所述基底上形成自下而上依次层叠的刻蚀终止层、第一介质层、辅助介质层及第二介质层； 以光刻胶层为刻蚀阻挡层，图形化所述第二介质层，形成从所述第二介质层的上表面向下延伸的第一开口图形，所述第一开口图形的底部具有显露部分所述辅助介质层的第二开口图形，其中，所述光刻胶层具有光刻胶开口图形，通过控制所述光刻胶开口图形的侧壁倾斜度来实现在所述第一开口图形的底部形成具有显露部分所述辅助介质层的第二开口图形； 以所述光刻胶层和所述第一开口图形的底部剩余的第二介质层为刻蚀阻挡层，基于所述第二开口图形去除所述辅助介质层，以在所述第二开口图形的底部露出所述第一介质层； 继续以所述光刻胶层为刻蚀阻挡层，基于所述第一开口图形和所述第二开口图形，去除所述第一介质层和所述第二介质层，直至所述第一开口图形的底部显露出所述辅助介质层时停止； 去除所述第一开口图形的底部的所述辅助介质层； 继续以所述光刻胶层为刻蚀阻挡层，去除所述第一介质层，基于所述第一开口图形形成贯穿所述第二介质层和所述辅助介质层并延伸至所述第一介质层的第一沟槽，基于所述第二开口图形形成从所述第一沟槽底部贯穿所述第一介质层并延伸至所述刻蚀终止层的第二沟槽； 去除所述光刻胶层和所述第二沟槽底部的刻蚀终止层，在所述第一沟槽中和第二沟槽中形成导电层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡华润上华科技有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新区新洲路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。