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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110746050.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由韩清华设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底；位线，位于基底上，且位线的材料包括金属半导体化合物；半导体通道，包括依次排列的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，第一掺杂区与位线相接触；第一介质层，覆盖第一掺杂区侧壁表面，且同一位线上相邻第一掺杂区侧壁的第一介质层之间具有第一间隔；绝缘层，覆盖沟道区侧壁表面；字线，覆盖绝缘层远离沟道区的侧壁表面，且相邻字线之间具有第二间隔；第二介质层，覆盖第二掺杂区侧壁表面，且位于相邻第二掺杂区侧壁的第二介质层之间具有第三间隔；第三介质层，位于第一间隔、第二间隔和第三间隔中。本发明实施例有利于降低位线的电阻，以提高半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位线，位于所述基底上，且所述位线的材料包括金属半导体化合物； 半导体通道，位于所述位线表面，在沿所述基底指向所述位线的方向上，所述半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述位线相接触； 第一介质层，覆盖所述第一掺杂区侧壁表面，且同一所述位线上相邻所述第一掺杂区侧壁的所述第一介质层之间具有第一间隔； 绝缘层，覆盖所述沟道区侧壁表面； 字线，覆盖所述绝缘层远离所述沟道区的侧壁表面，且相邻所述字线之间具有第二间隔； 第二介质层，覆盖所述第二掺杂区侧壁表面，且位于相邻所述第二掺杂区侧壁的所述第二介质层之间具有第三间隔； 第三介质层，位于所述第一间隔、所述第二间隔和所述第三间隔中； 还包括：金属接触层，位于所述第二掺杂区远离所述基底的顶面，且所述金属半导体化合物和所述金属接触层中具有相同的金属元素； 还包括：过渡层，位于所述第二掺杂区和所述金属接触层之间，且所述金属接触层包裹所述过渡层，所述过渡层和所述第二掺杂区掺杂有相同类型的掺杂离子，且所述掺杂离子在所述过渡层中的掺杂浓度大于在所述第二掺杂区中的掺杂浓度，所述掺杂离子为N型离子或P型离子中的一者。

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