爱思开海力士有限公司金在泽获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置以及该半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110692916.8，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体装置以及该半导体装置的制造方法是由金在泽设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及该半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体装置以及该半导体装置的制造方法。半导体装置包括：单元层叠结构，该单元层叠结构包括交叠层叠的第一单元层叠层和层叠导电层；单元插塞，该单元插塞穿透单元层叠结构；以及单元芯片保护件，该单元芯片保护件围绕单元层叠结构和单元插塞。单元芯片保护件包括保护件半导体层和覆盖保护件半导体层的侧壁的保护件绝缘层。
本发明授权半导体装置以及该半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 单元层叠结构，所述单元层叠结构包括交叠层叠的第一单元层叠层和层叠导电层； 单元插塞，所述单元插塞穿透所述单元层叠结构； 单元芯片保护件，所述单元芯片保护件围绕所述单元层叠结构和所述单元插塞； 虚设源极结构，所述虚设源极结构连接到所述单元芯片保护件；以及 穿透保护件部件，所述穿透保护件部件穿透所述虚设源极结构， 其中，所述单元芯片保护件包括保护件半导体层和覆盖所述保护件半导体层的侧壁的保护件绝缘层， 其中，所述穿透保护件部件的顶表面与所述虚设源极结构的顶表面设置在相同的高度处，并且 其中，所述单元芯片保护件的一部分设置在所述虚设源极结构中，并且与所述穿透保护件部件间隔开。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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