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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110470109.1，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由张峰溢;苏廷锜;蔡尚元;林盈志设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底上方形成有源结构和栅极结构；蚀刻阻挡层，形成于两个所述栅极结构之间；所述蚀刻阻挡层与所述有源结构间隔开以形成扩充空间，所述扩充空间内填充有接触结构。所述制备方法中通过在蚀刻阻挡层和有源结构之间形成伪介质层，然后通过蚀刻将其去除后，可在蚀刻阻挡层和有源结构之间形成可供接触结构延展进入的扩充空间，从而扩大有源结构与接触结构的抵接面积，减少接触电阻。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤： 步骤S1、提供一具有栅极结构3和多个有源结构2的衬底1，所述栅极结构3形成于有源结构2上方，多个有源结构顶部呈现不规则结构，多个有源结构体积大小不同； 步骤S2、形成覆盖衬底1、有源结构2和栅极结构3的第一介质层4； 步骤S3、将第一介质层4蚀刻成仅覆盖在有源结构2和衬底1上的伪介质层44； 所述步骤S3包括如下步骤： 步骤S3a、在有源结构2和衬底1对应的第一介质层4的上方淀积图案化的光刻层5； 步骤S3b、去除暴露于光刻层5外的第一介质层4； 步骤S3c、去除光刻层5与栅极结构3的侧墙31之间的第一介质层4； 步骤S3d、去除栅极结构3的侧墙31与有源结构2之间的第一介质层4； 步骤S3e、去除光刻层5，形成仅覆盖在有源结构2和衬底1上的且与栅极结构3间隔开的伪介质层44； 步骤S4、在衬底1、有源结构2、栅极结构3和伪介质层44上方淀积蚀刻阻挡层6； 步骤S5、在蚀刻阻挡层6上方淀积第二介质层7； 步骤S6、对栅极结构3、蚀刻阻挡层6和第二介质层7进行平坦化，得到第一中间产品； 步骤S8、在所述第一中间产品的上表面形成覆盖层8； 步骤S9、通过蚀刻去除部分的覆盖层8、第二介质层7和蚀刻阻挡层6，在有源结构的上方形成接触开孔200，得到第二中间产品； 步骤S12、通过蚀刻去除伪介质层44以形成可供接触结构10延展进入的扩充空间300；外露的伪介质层44被完全去除，同时至少一部分夹于有源结构2和蚀刻阻挡层6之间的伪介质层44被去除以形成所述扩充空间300； 步骤S13、在所述接触开孔200和所述扩充空间300中填充金属材料以形成接触结构10。

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