武汉飞恩微电子有限公司王小平获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉飞恩微电子有限公司申请的专利溅射薄膜压力芯体组件、压力传感器及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113125057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110463345.0，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权溅射薄膜压力芯体组件、压力传感器及封装方法是由王小平;曹万;施涛设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本溅射薄膜压力芯体组件、压力传感器及封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种溅射薄膜压力芯体组件、压力传感器及封装方法，该溅射薄膜压力芯体组件包括基座、以及溅射薄膜敏感元件，基座贯设有容置孔，溅射薄膜敏感元件容置于所述容置孔内，且所述溅射薄膜敏感元件的下边缘与所述容置孔的下端缘连接处焊接密封连接。
本发明授权溅射薄膜压力芯体组件、压力传感器及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种溅射薄膜压力传感器的封装方法，其特征在于，所述溅射薄膜压力传感器包括溅射薄膜压力芯体组件，所述溅射薄膜压力芯体组件包括贯设有容置孔的基座及容置于所述容置孔内的溅射薄膜敏感元件，所述基座的上下两端与所述溅射薄膜敏感元件的上下两端分别平齐；所述封装方法包括： 将所述溅射薄膜敏感元件安装在所述容置孔内； 将所述溅射薄膜敏感元件和所述基座整体倒置，且使所述溅射薄膜敏感元件和所述基座朝上部分齐平； 对所述溅射薄膜敏感元件的朝上的边缘与所述容置孔朝上的端缘连接处焊接密封连接，以形成所述溅射薄膜压力芯体组件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉飞恩微电子有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道818号高科医疗器械园B区12号楼3层2号（自贸区武汉片区）；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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