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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110441091.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器装置及其制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储器装置及其制造方法。阐述了一种存储器装置和相应的制造方法，其中该存储器装置包括：外围电路层，该外围电路层包括多个导电焊盘；接合结构，该接合结构设置在外围电路层上；单元层叠结构，该单元层叠结构设置在接合结构上，该单元层叠结构包括多个栅极导电图案；以及多个垂直栅极接触结构，该多个垂直栅极接触结构在穿透接合结构的情况下分别连接多个导电焊盘和多个栅极导电图案，其中，多个栅极导电图案中的每一个包括从单元区水平延伸到接触区的第一水平部分和第二水平部分以及连接到第一水平部分的一端和第二水平部分的一端的第三水平部分，第三水平部分连接到多个栅极接触结构中对应的栅极接触结构。

本发明授权存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，该存储器装置包括： 第一栅极导电图案，所述第一栅极导电图案被设置成在单元区和接触区上水平延伸，所述第一栅极导电图案包括彼此平行地延伸到所述接触区的第一水平部分和第二水平部分以及连接到所述第一水平部分的一个端部和所述第二水平部分的一个端部的第三水平部分； 第一绝缘图案，所述第一绝缘图案设置在所述第一栅极导电图案的所述第一水平部分和所述第二水平部分之间； 第二栅极导电图案，所述第二栅极导电图案在所述第一栅极导电图案下方平行于所述第一栅极导电图案设置，所述第二栅极导电图案包括彼此平行地延伸到所述接触区的第四水平部分和第五水平部分以及连接到所述第四水平部分的一个端部和所述第五水平部分的一个端部的第六水平部分； 第一栅极接触结构，所述第一栅极接触结构在所述接触区上垂直延伸，所述第一栅极接触结构在穿透所述第一栅极导电图案的所述第三水平部分的情况下与所述第一栅极导电图案接触；以及 第二栅极接触结构，所述第二栅极接触结构在所述接触区上垂直延伸，所述第二栅极接触结构在穿透所述第一绝缘图案并且穿透所述第二栅极导电图案的所述第六水平部分的情况下与所述第二栅极导电图案接触， 其中，所述第一栅极接触结构的侧表面的一部分与所述第一绝缘图案接触。

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