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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110427190.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件是由王宪程设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，包括：基体，包括设置栅极结构和有源结构的衬底层；位于基体上方的第一介质层；联接构件，所述联接构件为一导电构件，所述联接构件连续地直接贯穿所述第一介质层并连接所述栅极结构或和有源结构；金属层，需要与所述金属层连通的栅极结构或和有源结构经由所述联接构件实现所述金属层的连通；本发明大大减少错位的问题，而且制备本发明器件的方法也可以减少大量光罩的使用，以及节省传统方法中的中段制程，缩短了工艺流程，大大缩小生产周期。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基体，包括设置栅极结构和有源结构的衬底层，有源结构包括源极和漏极结构； 位于基体上方的第一介质层； 联接构件，所述联接构件为一导电构件，所述联接构件连续地直接贯穿所述第一介质层并连接所述栅极结构或和有源结构； 金属层，需要与所述金属层连通的栅极结构或和有源结构经由所述联接构件实现所述金属层的连通； 联接构件的径向尺寸从下往上口径逐渐增大，所述联接构件的周壁倾斜，且所述联接构件的周壁与基体水平面之间的角度为65°至90°； 所述联接构件为沿所述第一介质层的深度方向堆叠的至少三层联接结构，最底部的一层联接结构与所述栅极结构和或有源结构抵接，最顶部的一层联接结构与所述金属层抵接，该至少三层联接结构是在所述第一介质层形成后沿所述第一介质层深度方向开设的开口中分批次填充形成； 在形成联接构件时，沿所述第一介质层深度方向开设的开口中分批次填充形成沿所述第一介质层的深度方向堆叠的至少三层联接结构，所述的分批次填充具体包括： 非顶部联接结构形成步骤：通过原子层沉积沿着开口的底部和侧壁淀积形成具有凹槽的初设衬垫层，并在凹槽中填充虚设件；通过蚀刻初设衬垫层和虚设件至所需高度；去除虚设件露出凹槽，并在凹槽中填充金属材料；蚀刻金属材料至所需高度得到一层联接结构；如果接下来要形成的非最顶部的联接结构，则再次执行所述非顶部联接结构形成步骤，否则执行如下的顶部联接结构形成步骤：在设有联接结构的开口中以及第一介质层的表面上，依次沉积衬垫层和联接件的材料，在通过平坦化去除多余的材料，以暴露第一介质层的表面并在开口中形成最顶部的一层联接结构； 所述第一介质层包括设置在基体上的下层间介质层和设置在所述下层间介质层上的上层间介质层，所述上层间介质层的材料K值低于所述下层间介质层的材料K值； 所述半导体器件还包括贯穿所述下层间介质层的接触构件和贯穿所述上层间介质层的导通构件，部分需要与金属层连通的栅极结构或和有源结构是通过对应的所述联接构件连通到所述金属层，部分需要与金属层连通的栅极结构或和有源结构是通过所述接触构件和导通构件连通到所述金属层； 所述导通构件的侧面与所述接触构件的侧面接触。

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