信越半导体株式会社富井和弥获国家专利权
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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利硅晶圆的DIC缺陷的形状测量方法及研磨方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115335975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180024107.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权硅晶圆的DIC缺陷的形状测量方法及研磨方法是由富井和弥设计研发完成，并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅晶圆的DIC缺陷的形状测量方法及研磨方法在说明书摘要公布了：本发明是一种DIC缺陷的形状测量方法，其测量硅晶圆的DIC缺陷的形状，包含以下工序：使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC缺陷；特定该检测到的DIC缺陷的位置坐标；以及使用该特定的位置坐标，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形状。由此，提供简单且高精度地测量在硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含尺寸的形状的DIC缺陷的形状测量方法。
本发明授权硅晶圆的DIC缺陷的形状测量方法及研磨方法在权利要求书中公布了：1.一种DIC缺陷的形状测量方法，其测量硅晶圆的DIC缺陷的形状，其特征在于，包含以下工序： 使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC缺陷； 将检测到的DIC缺陷的位置坐标从该粒子计数器向相位偏移干涉检测装置输出；以及 基于输出的位置坐标来设定该相位偏移干涉检测装置，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形状， 所述DIC缺陷是通过微分干涉对比度检测到的缺陷，宽度为数十微米至数百微米级的缺陷。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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