买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114187947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110219946.7，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权半导体存储装置是由中泽新悟;前田高志设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种很好地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：多个第1导电层，在第1方向并排；多个第2导电层，在第1方向并排；第1半导体层，设置在多个第1导电层与多个第2导电层之间；电荷储存层，包括设置在多个第1导电层与第1半导体层之间的第1部分、及设置在多个第2导电层与第1半导体层之间的第2部分；第1配线，电连接于第1半导体层；及第1、第2晶体管，连接于第1、第2导电层。另外，该半导体存储装置在擦除动作中，向多个第1导电层的至少一部分供给第1电压，向第1配线供给大于第1电压的擦除电压，向多个第2晶体管的至少一部分供给使第2晶体管成为断开状态的第1信号电压。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于包括： 多个第1导电层，在第1方向并排，且在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸； 多个第2导电层，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上与所述多个第1导电层隔开而配置，在所述第1方向并排，且在所述第2方向上延伸； 第1半导体层，设置在所述多个第1导电层与所述多个第2导电层之间，在所述第1方向上延伸，且与所述多个第1导电层及所述多个第2导电层相对向； 电荷储存层，包括：设置在所述多个第1导电层与所述第1半导体层之间的第1部分、及设置在所述多个第2导电层与所述第1半导体层之间的第2部分； 绝缘层，设置在所述多个第1导电层与所述多个第2导电层之间，在所述第1方向上延伸，且在所述第2方向与所述第1半导体层并排； 第1配线，电连接于所述第1半导体层； 多根电压供给线，向所述多个第1导电层及所述多个第2导电层中的至少一者供给电压； 多条第1电流路径，是所述多个第1导电层与所述多根电压供给线之间的电流路径，且分别包含第1晶体管；以及 多条第2电流路径，是所述多个第2导电层与所述多根电压供给线之间的电流路径，且分别包含第2晶体管； 且所述半导体存储装置构成为能执行： 第1擦除动作，向所述多个第1导电层的至少一部分供给第1电压，向所述第1配线供给大于所述第1电压的擦除电压，在与所述多个第2导电层的至少一部分对应的所述第2电流路径上，向至少一个所述第2晶体管的栅极电极供给使所述第2晶体管成为断开状态的第1信号电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人铠侠股份有限公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。