联华电子股份有限公司王诣杰获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110175890.X，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权半导体装置是由王诣杰;赖柏均;林克峰;郭镇铵;周泽玮设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极区、漏极区以及多个场板。栅极结构设置于半导体基底上，源极区与漏极区设置于半导体基底中且分别位于栅极结构在一第一方向上的两相对侧。多个场板设置于半导体基底上，且各场板部分位于栅极结构之上且部分位于栅极结构与漏极区之间。栅极结构与多个场板中的至少一个电连接，且源极区与多个场板中的至少一个电连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体基底； 栅极结构，设置于该半导体基底上； 源极区与漏极区，该源极区与该漏极区设置于该半导体基底中且分别位于该栅极结构在第一方向上的两相对侧；以及 多个场板，设置于该半导体基底上，其中各该场板部分位于该栅极结构之上且部分位于该栅极结构与该漏极区之间，该栅极结构与该多个场板中的至少一个电连接，且该源极区与该多个场板中的至少一个电连接， 其中该多个场板沿平行于该半导体基底延伸的方向排列。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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