广州集成电路技术研究院有限公司吴旭升获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利FinFET器件及其鳍片切割方法和电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011613015.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权FinFET器件及其鳍片切割方法和电子装置是由吴旭升设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本FinFET器件及其鳍片切割方法和电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于FinFET器件的鳍片切割方法及由此形成的FinFET器件和电子装置。本发明提供的用于FinFET器件的鳍片切割方法，在进行切割之前，在基板的上表面的伪鳍结构区域形成多个填充有硅褚化合物的填充区；然后在包含多个填充区的基板上形成多个鳍结构；最后去除底部包含有填充区材料的伪鳍结构；由于填充区材料对硅有很高的刻蚀选择性，所以可以从底部移除伪鳍结构；此外，由于是自对准过程，因此，没有鳍结构残留和丢失的风险。
本发明授权FinFET器件及其鳍片切割方法和电子装置在权利要求书中公布了：1.一种用于FinFET器件的鳍片切割方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一包括伪鳍结构区域和有源鳍结构区域的基板； 在基板的上表面的伪鳍结构区域形成多个填充区； 在所述包含填充区的基板上形成多个鳍结构，所述鳍结构包括伪鳍结构和有源鳍结构； 采用自对准技术仅去除所述伪鳍结构底部的填充区材料，从而去除整体的伪鳍结构； 其中，所述形成多个鳍结构的步骤包括： 在所述基板的上方生长硅层； 在硅层上方形成多个图案化掩膜； 通过多个图案化掩膜对所述包含多个填充区的基板和硅层进行蚀刻处理，以形成多个鳍结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州集成电路技术研究院有限公司，其通讯地址为：511300 广东省广州市增城区宁西街创新大道16号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号