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龙图腾网获悉南京力安半导体有限公司申请的专利晶圆测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113155051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011567672.2，技术领域涉及：G01B11/24；该发明授权晶圆测量装置是由曾安设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆测量装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种晶圆测量装置。该晶圆测量装置包括气浮卡盘，用于产生气垫以使待测量的晶圆能够悬浮在气浮卡盘的顶部表面；干涉仪，设置在晶圆的远离气浮卡盘的一侧，用于获取晶圆的正面的干涉条纹图像，以基于干涉条纹图像对晶圆进行形状测量和或平整度测量，晶圆的正面为晶圆远离气浮卡盘的表面。本申请实施例通过利用气浮卡盘产生气垫以使待测量的晶圆能够悬浮在气浮卡盘的顶部表面，从而避免夹持工具对晶圆原始形状的破坏或污染，进而减少测量误差。

本发明授权晶圆测量装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆测量装置，其特征在于，包括： 气浮卡盘，用于产生气垫以使待测量的晶圆能够悬浮在所述气浮卡盘的顶部表面； 干涉仪，设置在所述晶圆的远离所述气浮卡盘的一侧，用于获取所述晶圆的正面的干涉条纹图像，以基于所述干涉条纹图像对所述晶圆进行形状测量和或平整度测量，其中，所述晶圆的正面为所述晶圆远离所述气浮卡盘的表面； 电容传感器，设置在所述气浮卡盘的中部，用于测量所述晶圆的背面上至少一个位置点对应的位置信息以得到电容传感器读数CPn，或者，基于所述电容传感器读数CPn监测所述气浮卡盘上是否存在所述晶圆，或者，基于所述电容传感器读数CPn监测第一预定距离，其中，所述晶圆的背面为所述晶圆靠近所述气浮卡盘的表面； 激光器，位于所述气浮卡盘的顶部表面的上方侧边，用于向所述晶圆的正面发出第一激光； 位置传感器，位于所述气浮卡盘的顶部表面的上方侧边且与所述激光器的对立的一侧，用于接收所述第一激光经由所述晶圆的正面上反射后的第二激光且根据所述第二激光测量所述晶圆的正面上第一位置点对应的位置信息，以得到位置传感器读数Vx，其中，所述电容传感器还用于测量所述晶圆的背面上第二位置点对应的位置信息，以得到电容传感器读数CPn，所述第一位置点与所述第二位置点为所述晶圆中表征厚度的相对的两个位置点； 第一标准晶圆； 处理器，与所述位置传感器和所述电容传感器连接，以获取所述位置传感器读数Vx和所述电容传感器读数CPn，并将所述位置传感器读数Vx和所述电容传感器读数CPn代入公式T晶圆=T0+CP0-CPn+S*Vx–V0中以获取所述晶圆的厚度T晶圆，其中，所述公式中的T0为所述第一标准晶圆的厚度，CP0为所述第一标准晶圆在基准预定距离处时的基准电容传感器读数，V0为所述第一标准晶圆在基准预定距离处时的基准位置传感器读数，S为横坐标为所述第一标准晶圆处于不同预定距离时所述位置传感器读数Vx，纵坐标为所述第一标准晶圆处于不同预定距离时所述电容传感器读数CPn与基准电容传感器读数CP0的差值hx的关系图中直线的斜率； 质量传感器，用于测量所述晶圆的质量以获取所述晶圆的平均厚度。

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