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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011376784.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由张文文;黄仁瑞设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底上形成第一刻蚀停止层、第一目标介质层、第二刻蚀停止层和第二目标介质层；以及在第二目标介质层上具有不同开口尺寸的层叠的第一硬掩膜层和第二掩膜层，就可以实现大马士革结构。根据本发明的方法，只需要采用一次光刻工艺，即能实现双大马士革工艺中的双大马士革结构，不需高昂的光刻设备支持，设备的成本更低；形成的大马士革结构易于填充，可以实现无缝隙的填充；同时根据本发明的半导体器件的制造方法，具有广泛的适用性，还可以用于常规通孔的刻蚀，具有更加广泛的应用前景。

本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上依次形成第一刻蚀停止层、第一目标介质层、第二刻蚀停止层和第二目标介质层； 在所述第二目标介质层上依次形成第一硬掩膜层和图案化的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有第一开口，所述第一开口露出部分所述第一硬掩膜层； 以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第一硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层中形成第二开口，所述第二开口露出部分所述第二目标介质层，并且所述第二开口的尺寸大于所述第一开口； 以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第二目标介质层以在所述第二目标介质层中形成第三开口，所述第三开口露出部分所述第二刻蚀停止层； 以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第二刻蚀停止层以在所述第二刻蚀停止层中形成第四开口，所述第四开口露出部分所述第一目标介质层； 去除所述第二掩膜层； 以所述第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一目标介质层和所述第二目标介质层，以在所述第一目标介质层中形成第五开口，并且使所述第三开口扩展成第六开口； 以所述第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二刻蚀停止层和所述第一刻蚀停止层，以在所述第一刻蚀停止层中形成第七开口，并且使所述第四开口扩展成第八开口，其中所述第八开口的尺寸等于所述第六开口的尺寸。

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