维尔塞特公司S·J·弗兰森获国家专利权
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龙图腾网获悉维尔塞特公司申请的专利具有集成天线阵列和低损耗多层内插器的天线设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080065514.9，技术领域涉及：H01Q1/22；该发明授权具有集成天线阵列和低损耗多层内插器的天线设备是由S·J·弗兰森;J·J·卢纳设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有集成天线阵列和低损耗多层内插器的天线设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种天线设备，该天线设备包括：辐射层，该辐射层具有形成天线阵列的多个天线元件；半导体晶圆，该半导体晶圆包括各自具有波束形成电路的多个块；以及多层内插器。该多层内插器可包括：下部介电层，该下部介电层与衬底相邻；上部介电层，该上部介电层与辐射层相邻；金属层，该金属层位于下部层与上部层之间并包括多条导电迹线；多个第一通孔，该多个第一通孔延伸穿过上部层和下部层两者并将波束形成电路电耦合到多个天线元件；以及多个第二通孔，该多个第二通孔在波束形成电路与导电迹线之间延伸以互连块。
本发明授权具有集成天线阵列和低损耗多层内插器的天线设备在权利要求书中公布了：1.一种天线设备（10），所述天线设备包括： 辐射层（20），所述辐射层包括形成天线阵列的多个天线元件（22）； 半导体晶圆（40），所述半导体晶圆包括各自具有波束形成电路（48）的多个块（42）；以及 多层内插器（30），所述多层内插器包括： 下部介电层（31），所述下部介电层与所述晶圆相邻； 上部介电层（33），所述上部介电层与所述辐射层相邻； 金属层（37），所述金属层位于所述下部介电层与所述上部介电层之间并包括多条导电迹线（35）； 多个第一通孔（72），所述多个第一通孔延伸穿过所述上部介电层和所述下部介电层两者并将所述波束形成电路电耦合到所述多个天线元件；以及 多个第二通孔（82），所述多个第二通孔在所述波束形成电路与所述导电迹线之间延伸以互连所述多个块， 其中所述多个块中的每个块具有通过相同的倍缩光罩生成图像（91）形成的相同电路配置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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