联华电子股份有限公司蔡明泰获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利一种制作半导体元件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010876084.0，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种制作半导体元件的方法是由蔡明泰;谢萌;丁文波设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制作半导体元件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先形成一栅极结构于基底上，然后形成一源极漏极区域于该栅极结构旁，进行一第一清洗制作工艺，进行一第一快速热退火制作工艺来去除基底内的氧气团，形成一金属层于该源极漏极区域上，再进行一第二快速热退火制作工艺将该金属层转换为一金属硅化物。
本发明授权一种制作半导体元件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成栅极结构于基底上，该基底包含陷阱层； 形成源极漏极区域于该栅极结构旁； 进行第一清洗制作工艺； 进行第一快速热退火制作工艺来去除该基底的该陷阱层内的氧气团； 形成金属层于该源极漏极区域上；以及 将该金属层转换为金属硅化物， 其中该第一快速热退火制作工艺是在该源极漏极区域形成后以及形成该金属硅化物之前进行，其中该第一快速热退火制作工艺介于摄氏560度至摄氏700度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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