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龙图腾网获悉欧司朗光电半导体有限公司申请的专利用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片和发射辐射的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080060611.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片和发射辐射的器件是由亚历山大·F·普福伊费尔;托比亚斯·迈耶;科比尼安·佩尔茨尔迈尔;托马斯·施瓦茨;塞巴斯蒂安·霍伊布尔设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片和发射辐射的器件在说明书摘要公布了：提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片1的方法，具有如下步骤：‑提供半导体晶片2，‑将第一接触层5施加到半导体晶片2上，‑将承载装置8固定在半导体晶片2处，‑将半导体晶片2分割成半导体本体13，和‑将第二接触层14施加到半导体本体13上。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片和一种发射辐射的器件。

本发明授权用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片和发射辐射的器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造发射辐射的半导体芯片（1）的方法，具有如下步骤： -提供半导体晶片（2）， -将第一介电层（17）施加在所述半导体晶片（2）上， -在所述第一介电层（17）中产生第一凹部（18）， -将第一接触层（5）施加到所述半导体晶片（2）上， -将第二介电层（20）施加在所述第一介电层（17）和所述第一接触层（5）之上， -在所述第二介电层（20）中产生第四凹部（26）， -将承载装置（8）固定在所述半导体晶片（2）处， -将所述半导体晶片（2）分割成半导体本体（13），和 -将第二接触层（14）施加到所述半导体本体（13）上，其中 -所述第二介电层（20）构成为，使得其自身机械稳定，和 -所述第四凹部（26）沿横向方向分别与所述第一凹部（18）之一重叠， -将第一接触部（27）分别设置在所述第四凹部（26）之一中， -所述第一接触部（27）分别在所述第四凹部（26）之一中与所述第一接触层（5）之一导电接触， -在所述第二介电层（20）中产生第五凹部（28），所述第五凹部沿横向方向与所述第一凹部（18）间隔开， -将第二接触部（29）分别设置在所述第五凹部（28）之一中，和 -所述第四凹部（26）局部地露出所述第一接触层（5）并且所述第五凹部（28）局部地露出所述第一介电层（17）。

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