买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国恩菲工程技术有限公司申请的专利多区域高落差充填的露天坑及充填方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111963177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010682998.3，技术领域涉及：E21C41/32；该发明授权多区域高落差充填的露天坑及充填方法是由谢盛青;周彩霞;刘育明;杜贵文;岑建;逄铭璋;马俊生设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本多区域高落差充填的露天坑及充填方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多区域高落差充填的露天坑及充填方法。所述露天坑充填方法包括S1：将露天坑分成多个区域并确定各区域的目标充填高度，S2：从多个区域选择相邻的第一区域和第二区域，第一区域的第一目标充填高度低于第二区域的第二目标充填高度；S3：将第一区域充填至第一目标充填高度；S4：将第二区域充填至第一目标充填高度；S5：在第一区域与第二区域之间堆筑一级拦挡坝，并将第二区域从第一目标充填高度充填至第一充填高度；S6：在一级拦挡坝远离第一区域的一侧堆筑二级拦挡坝，并将第二区域从第一充填高度充填至第二充填高度；重复S5和S6，直至第二区域充填至第二目标充填高度。根据本发明所充填的露天坑，施工难度小，牢固性和安全性高。

本发明授权多区域高落差充填的露天坑及充填方法在权利要求书中公布了：1.一种露天坑多区域高落差充填方法，其特征在于，包括： 步骤S1：将露天坑分成多个区域并确定各个区域的目标充填高度； 步骤S2：从多个所述区域选择相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域的第一目标充填高度低于所述第二区域的第二目标充填高度； 步骤S3：将所述第一区域充填至所述第一目标充填高度； 步骤S4：将所述第二区域充填至所述第一目标充填高度； 步骤S5：在所述第一区域与所述第二区域之间堆筑一级拦挡坝，并将所述第二区域从所述第一目标充填高度充填至第一充填高度； 步骤S6：在所述一级拦挡坝远离所述第一区域的一侧堆筑二级拦挡坝，并将所述第二区域从所述第一充填高度充填至第二充填高度； 重复步骤S5和S6，直至将所述第二区域充填至所述第二目标充填高度； 重复步骤S2-S6，完成将多个所述区域充填至各自的目标充填高度； 还包括在所述第二区域内的充填体边缘开设截水沟，以及在至少一部分拦挡坝的堤脚处开设有排水沟，所述排水沟与所述截水沟连通；所述第一区域内设有蓄水池，所述截水沟和所述排水沟连通至所述蓄水池； 在对所述第二区域进行充填时，从邻近每一级拦挡坝的一侧朝向远离每一级拦挡坝的方向进行充填； 所述第二区域内，邻近所述拦挡坝处的充填体高于远离所述拦挡坝处的充填体。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国恩菲工程技术有限公司，其通讯地址为：100038 北京市海淀区复兴路12号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。