玛科姆技术方案控股有限公司沙米特·桑恩获国家专利权
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龙图腾网获悉玛科姆技术方案控股有限公司申请的专利用于功率晶体管的改进的布局技术和优化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080099185.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权用于功率晶体管的改进的布局技术和优化是由沙米特·桑恩;韦恩·麦克·斯特鲁布尔;杰森·马修·巴雷特;尼桑特·R·亚木加拉;约翰·史提芬·阿瑟顿设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于功率晶体管的改进的布局技术和优化在说明书摘要公布了：公开了用于改进和结构优化的晶体管例如RF功率放大器晶体管的各种实施例。晶体管可以包括从衬底的表面升高的漏极金属部、具有缺口区域的漏极金属、具有从栅极歧管延伸的成角度的栅极接线片的栅极歧管体和或源极连接屏蔽件。晶体管可以包括高电子迁移率晶体管HEMT、硅上氮化镓GaN晶体管、碳化硅上GaN晶体管或其他类型的晶体管。
本发明授权用于功率晶体管的改进的布局技术和优化在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，包括： 第一源极金属； 第二源极金属； 栅极歧管，其包括栅极歧管体、第一成角度的栅极接线片和第二成角度的栅极接线片；以及 漏极金属，其定位在漏极欧姆触点上方且定位在所述第一源极金属与所述第二源极金属之间，其中，所述漏极金属包括漏极金属体，所述漏极金属体具有定位在所述漏极欧姆触点之间且定位在所述第一源极金属与所述第二源极金属之间的缺口区域，所述缺口区域限定所述漏极金属体的第一突出部和第二突出部，所述第一突出部和所述第二突出部定位在所述缺口区域的相应侧。
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